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24/Feb/04




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Ciencia y tecnología: Dispositivo fotónico más rápido del mundo

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Los científicos de Intel crearon un dispositivo parecido a un transistor que puede codificar datos en un haz de luz.

(Gacetilla) Científicos de Intel Corporation lograron utilizar procesos de fabricación de silicio para crear un novedoso dispositivo tipo transistor que puede codificar datos en un haz de luz. La habilidad de construir un modulador fotónico veloz (que transmite datos a través de fibra óptica) a partir de silicio estándar podría conducir a la obtención de conexiones de fibra óptica de ancho de banda elevado y de bajo costo entre computadoras, servidores y otros dispositivos electrónicos, y eventualmente en el interior de las computadoras también.

Tal como se informó en la edición del 12 de febrero de Nature, los investigadores de Intel dividieron un rayo de luz en dos al pasar a través del silicio, y luego utilizaron el nuevo dispositivo para golpear uno de los haces con una carga eléctrica, induciendo un "cambio de fase". Cuando se vuelven a combinar los dos rayos de luz el cambio de fase inducido entre los dos brazos hace que la luz que sale del chip muestre patrones de inteferencia (se prende y se apaga) a más de un gigahertz: 50 veces más rápido que lo que se haya construido antes sobre silicio. Este patrón de luz encendida y apagada puede traducirse en los unos y ceros necesarios para transmitir datos.

"Este es un paso significativo hacia la construcción de dispositivos ópticos que mueven datos dentro de una computadora a la velocidad de la luz —dijo Patrick Gelsinger, vicepresidente senior y gerente de tecnología de Intel—. Es la clase de descubrimientos que se mecen a lo largo de la industria y a través del tiempo permitiendo la creación de nuevos dispositivos y nuevas aplicaciones. Podría ayudar a lograr que Internet funcione más rápido, a construir computadoras de alto desempeño mucho más veloces y permitir aplicaciones de ancho de banda elevado como pantallas de ultra alta definición o sistemas de reconocimiento de la vista".

El informe acerca de esta investigación fue publicado en Nature, Volumen 428 del 12 de febrero. El documento, titulado "Un modulador óptico de silicio de alta velocidad basado en un capacitor de semiconductor de metal óxido", fue escrito por Ansheng Liu, Richard Jones, Ling Liao, Dean Samara-Rubio, Doron Rubin, Oded Cohen, Remus Nicolaescu y Mario Paniccia del Grupo de Tecnología Corporativa de Intel. Se puede encontrar una copia de este documento y más información sobre la fotónica de silicio de Intel en www.intel.com/technology/sp.


 

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