Hewlett Packard ya prepara la producción de las memorias de memristores. Planea fabricar esta nueva memoria no volátil para el 2013
HP ha comenzado a efectuar pruebas sobre muestras de un nuevo tipo de memoria no volátil realizada sobre la base de memristores, que son elementos de circuito mucho más pequeños que los transistores utilizados en las memorias de tecnología flash. La compañía planea introducir el primer producto comercial de memoria de memristores dentro de tres años.
Memoria a largo plazo: Cada uno de los cruces (más claros) en este grupo de microscopía de imagen atómica es un memristor de 50 nanómetros de lado. Crédito:Nature
HP espera que su tecnología de memoria de memristores ofrezca una mayor reducción de escala que la tecnología flash, y espera poder ofrecer un producto con una densidad de almacenamiento de alrededor de 20 gigabytes por centímetro cuadrado en el 2013, el doble de almacenamiento que, según se estima, ofrecerá la tecnología flash para ese momento. Esta movida será una verdadera prueba para los memristores. La fiabilidad y el rendimiento de estos componentes, fabricados por primera vez en los laboratorios de HP Labs en el 2008, sigue sin comprobar.
R. Stan Williams, investigador senior de HP y director del laboratorio de sistemas cuánticos y de información de la empresa, dice que su grupo está poniendo a prueba el primer lote de muestra de dispositivos de memoria memristor hechos en una fábrica de semiconductores que no se ha revelado. La matriz de memristores de muestra se está construyendo en obleas de silicio estándar de 300 milímetros.
Los memristores son dispositivos a nanoescala con resistencia variable y la capacidad de recordar su resistencia cuando se quita la alimentación. HP los fabrica utilizando técnicas convencionales de litografía, depositando un conjunto de nanocables metálicos paralelos, recubriendo los cables con una capa de dióxido de titanio de unos pocos nanómetros de espesor y, a continuación, estableciendo una segunda matriz de cables, perpendiculares a los primeros. Los puntos donde se cruzan los conductores son los memristors, y cada uno puede ser tan pequeño como unos tres nanómetros. Esta estructura de barras cruzadas hace posible, también, empacar los memristores en conjuntos muy densos.
Tanto las memorias flash como los memristores son no volátiles, es decir, mantienen los datos aun cuando se retira la energía. La tecnología flash tiene algunas limitaciones, sin embargo. Sólo puede soportar alrededor de 100.000 ciclos de escritura de datos y, como todos los dispositivos basados en transistores de silicio, se enfrenta a límites físicos cuando se lo escala a tamaños cada vez más pequeños para hacer dispositivos de almacenamiento de memoria más densos. Williams dice que la memoria de memristores pudo soportar hasta un millón de ciclos de lectura y escritura en las pruebas de laboratorio. «Podremos escalarla más rápido y en mayor cantidad que las flash debido a que el memristor es una estructura muy simple, y pueden ser apilados», dijo Williams.
El optimismo de otros investigadores sobre la promesa de los memristores es más cauto. Mientas que las propiedades de los materiales de silicio son bien conocidas, las de los materiales utilizados para hacer los memristores de Williams no lo son, al menos hasta ahora.
«Los fundamentos de por qué estos óxidos metálicos cambian del modo que lo hacen no se entienden bien», dice Curt Richter, líder del proyecto NanoElectronic Device Metrology del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) de Gaithersburg, en EEUU. Será fundamental una mejor comprensión de las propiedades materiales fundamentales de los óxidos metálicos utilizados para hacer los memristores para garantizar que los chips con miles de millones de dispositivos operen de manera confiable durante períodos de hasta 10 años.
Fuente: Technology Review. Aportado por Eduardo J. Carletti
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